Unsa ang GaN ug nganong kinahanglan nimo kini?

Unsa ang GaN ug nganong kinahanglan nimo kini?

Ang Gallium nitride, o GaN, usa ka materyal nga nagsugod sa paggamit alang sa mga semiconductors sa mga charger. Gigamit kini sa paghimo og mga LED nga nagsugod sa '90s, ug kini usab usa ka popular nga materyal alang sa solar cell arrays sa mga satellite. Ang panguna nga butang bahin sa GaN kung bahin sa mga charger mao nga kini nagpatunghag gamay nga kainit. Ang gamay nga kainit nagpasabut nga ang mga sangkap mahimong magkasuod, aron ang usa ka charger mahimong mas gamay kaysa kaniadto — samtang gipadayon ang tanan nga mga kapabilidad sa kuryente ug mga sumbanan sa kaluwasan.

Unsa man gyud ang mahimo sa usa ka charger?

Nalipay kami nga nangutana ka.

Sa dili pa nato tan-awon ang GaN sa sulod sa usa ka charger, atong tan-awon kung unsa ang gibuhat sa usa ka charger. Ang matag usa sa among mga smartphone, tablet, ug laptop adunay baterya. Kung ang usa ka baterya nagbalhin sa gahum sa among mga aparato, ang nahitabo sa tinuud usa ka kemikal nga reaksyon. Ang usa ka charger nagkinahanglan og usa ka koryente nga sulog aron mabalik ang kemikal nga reaksyon. Sa unang mga adlaw, ang mga charger nagpadala lang og juice sa usa ka baterya kanunay, nga mahimong mosangpot sa sobrang pag-charge ug kadaot. Ang mga modernong charger naglakip sa mga sistema sa pag-monitor nga nagpaubos sa kasamtangan samtang napuno ang baterya, nga nagpamenos sa posibilidad sa sobrang pag-charge.

Ang init kay:
Gipuli sa GaN ang silicon

Sukad sa '80s, ang silicon mao ang materyal nga gigamit alang sa mga transistor. Ang silikon nagdumala sa elektrisidad nga mas maayo kaysa kaniadto nga gigamit nga mga materyales-sama sa mga vacuum tubes-ug nagpugong sa gasto, tungod kay kini dili kaayo mahal sa paghimo. Sulod sa mga dekada, ang mga pag-uswag sa teknolohiya mitultol sa taas nga performance nga atong naandan karon. Ang pag-uswag mahimo ra nga layo, ug ang mga transistor sa silikon mahimo’g duol sa ingon ka maayo nga makuha nila. Ang mga kabtangan sa silicon nga materyal mismo hangtod sa kainit ug pagbalhin sa elektrisidad nagpasabut nga ang mga sangkap dili mahimong gamay.

Lahi ang GaN. Kini usa ka materyal nga sama sa kristal nga makahimo sa pagpahigayon sa mas taas nga mga boltahe. Ang koryente nga sulog mahimong moagi sa mga sangkap nga gihimo gikan sa GaN nga mas paspas kaysa silicon, nga nagdala sa labi ka paspas nga pagproseso. Mas episyente ang GaN, busa gamay ra ang kainit.